在SEMICON China 2025展會期間，深圳市新凱來技術有限公司攜五款自主研發的半導體核心工藝設備震撼亮相，引發行業廣泛關注。此次發布的外延沉積設備EPI（峨眉山）、原子層沉積設備ALD（阿里山）、物理氣相沉積設備PVD（普陀山）、刻蝕設備ETCH（武夷山）及薄膜沉積設備CVD（長白山），精準覆蓋了晶圓制造八大核心工藝中的五個關鍵環節，標志著中國半導體裝備自主化取得突破性進展。
突破"卡脖子"瓶頸：國產設備實現從0到1的跨越
我國半導體產業長期受制于高端裝備依賴進口的困境。以ALD（原子層沉積）設備為例，該技術在3nm先進制程中承擔高k介質/金屬柵極薄膜沉積任務，此前全球市場被ASM International等歐美巨頭壟斷。新凱來發布的阿里山ALD設備采用自主研發的脈沖式等離子體增強技術，實現≤2?精度的原子級薄膜沉積，成功打破技術封鎖。
EPI（峨眉山）設備在8英寸功率半導體領域已實現國產替代，其外延層均勻性達到±0.5%國際先進水平，正在開發的12英寸版本將直接對標美國AXT公司的AXT-4000。ETCH（武夷山）系列等離子體刻蝕機采用射頻感應耦合技術，可在5nm節點實現≥95%的刻蝕選擇比，關鍵指標超越東京電子同類產品。
構建垂直整合生態：設備國產化撬動產業鏈重構
新凱來發布的普陀山PVD設備已與中微公司、盛美上海形成國產PVD/CVD設備矩陣，正在適配長江存儲的128層3D NAND量產線。這種"設備集群效應"正在重塑國產半導體制造生態：
上游材料：峨眉山EPI設備的硅烷噴淋系統采用北方華創提供的國產噴頭，帶動國內高純度硅烷氣供應鏈升級；
中游制造：阿里山ALD設備已進入中芯國際FinFET中試線，與華海清科CMP設備形成前道工藝協同；
下游應用：武夷山ETCH設備正在為比亞迪半導體IGBT產線定制開發碳化硅刻蝕工藝包。
技術迭代與市場雙輪驅動：國產設備迎來戰略機遇期
隨著全球晶圓產能向中國轉移（2025年中國大陸晶圓產能占比預計達23%），國產設備的市場空間持續擴大。新凱來發布的長白山CVD設備以25%的價格優勢切入國內8英寸市場，已獲得華潤微電子5臺訂單。公司董事長劉明遠表示："我們正構建'設備即服務'（EaaS）商業模式，通過云端實時監控設備健康度，將設備綜合利用率（OEE）從行業平均65%提升至82%。"
技術路線圖升級：瞄準下一代半導體技術制高點
新凱來已啟動"量子點沉積"與"選擇性外延"兩項前瞻技術攻關。峨眉山EPI平臺正在開發的橫向擴散外延技術（Lateral Epitaxy），有望解決SiC外延材料成本瓶頸；阿里山ALD設備正在適配2nm節點所需的鈷/釕金屬沉積工藝，提前布局后摩爾時代。
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